IRFSL23N15D
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL23N15D

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL23N15D-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online
12805411
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL23N15D Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datasheets
IRFSL23N15D
HTML-Datasheet
IRFSL23N15D-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRFSL23N15D

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF3711ZPBF

MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB

infineon-technologies

IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

infineon-technologies

IRFHM7194TRPBF

MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN

infineon-technologies

IRL3705ZPBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB