Tillverkare Produktnummer:
IRFS4115PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFS4115PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
12813580
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFS4115PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
64-2135PBF
64-2135PBF-DG
SP001565010
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDB2532
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3812
DEL NUMMER
FDB2532-DG
ENHETSPRIS
1.94
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPB50N10S3L16ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPB50N10S3L16ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.91
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRF540NSPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
IRF7470TR
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
