IRFS4010PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFS4010PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFS4010PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventarier:

Förfrågan Online
12805581
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFS4010PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
IRFS(L)4010PBF
Datasheets
IRFS4010PBF
HTML-Datasheet
IRFS4010PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001578304

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRL3102

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

infineon-technologies

IRFR3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A DPAK

infineon-technologies

IPAW70R950CEXKSA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31

infineon-technologies

IPP45N06S4L08AKSA2

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3