Tillverkare Produktnummer:
IRFP4768PBFXKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFP4768PBFXKMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH >=100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-901
Inventarier:
400 Pcs Ny Original I Lager
13005586
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFP4768PBFXKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
520W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-901
Paket / Fodral
TO-247-3
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
SP005738314
448-IRFP4768PBFXKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DI110N06D2
MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
MMFTN210A
MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
IRF8721TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
