Tillverkare Produktnummer:
IRFP4332PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFP4332PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
471 Pcs Ny Original I Lager
12823128
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
tRvJ
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFP4332PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
360W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IRFP4332
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
Resurser för design
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
IRFP4332PBF-DG
SP001578038
448-IRFP4332PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP80R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
AUIRFL014N
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
IRF6646TR1PBF
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
