Tillverkare Produktnummer:
IRFP3006PBFXKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFP3006PBFXKMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH 40<-<100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
13269208
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFP3006PBFXKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8970 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Ytterligare information
Standard-paket
400
Andra namn
SP005732687
448-IRFP3006PBFXKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IMZA75R140M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R020M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IAUCN10S5L094DATMA1
MOSFET_(75V 120V(