IRFP250MPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFP250MPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFP250MPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

8703 Pcs Ny Original I Lager

12815397

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFP250MPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tube

Serie

HEXFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

75mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

123 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2159 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

214W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-247AC

Paket / Fodral

TO-247-3

Grundläggande produktnummer

IRFP250

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

25

Andra namn

INFINFIRFP250MPBF

2156-IRFP250MPBF

SP001566168

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

epc

EPC8004

GANFET N-CH 40V 4A DIE

microchip-technology

DN2540N3-G

MOSFET N-CH 400V 120MA TO92

infineon-technologies

IRFSL59N10D

MOSFET N-CH 100V 59A TO262

infineon-technologies

IRF250P224

MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC