Tillverkare Produktnummer:
IRFI4229PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFI4229PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
411 Pcs Ny Original I Lager
13064110
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFI4229PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Emballage
Tube
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4480 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
46W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFI4229
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001575824
2156-IRFI4229PBF
INFINFIRFI4229PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFB4229PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
993
DEL NUMMER
IRFB4229PBF-DG
ENHETSPRIS
1.48
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDPF2710T
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FDPF2710T-DG
ENHETSPRIS
2.34
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
IRF1010NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRF2805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
