Tillverkare Produktnummer:
IRFHS8342TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFHS8342TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventarier:
11868 Pcs Ny Original I Lager
12806118
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFHS8342TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paket / Fodral
6-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
IRFHS8342
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SP001556608
IRFHS8342TRPBFTR
IRFHS8342TRPBFDKR
IRFHS8342TRPBFCT
IRFHS8342TRPBF-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
SIPC06N60C3
MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
IRLR7833TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
