Tillverkare Produktnummer:
IRFHM830TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFHM830TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventarier:
8408 Pcs Ny Original I Lager
12804851
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFHM830TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
IRFHM830
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRFHM830TRPBF-DG
IRFHM830TRPBFTR
SP001566782
IRFHM830TRPBFDKR
IRFHM830TRPBFCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRFR3711TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
IPP65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
