Tillverkare Produktnummer:
IRFH8311TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFH8311TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventarier:
48418 Pcs Ny Original I Lager
12801336
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFH8311TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 169A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4960 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-TQFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
IRFH8311
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRFH8311TRPBFDKR
IRFH8311TRPBFCT
IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
IPD60R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3