IRFH5255TRPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFH5255TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFH5255TRPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 15A/51A 8PQFN

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 25 V 15A (Ta), 51A (Tc) 3.6W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

Förfrågan Online

12806663

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFH5255TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

25 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

15A (Ta), 51A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

988 pF @ 13 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.6W (Ta), 26W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-PQFN (5x6)

Paket / Fodral

8-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

IRFH5255TRPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket

4,000

Andra namn

SP001560380

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRF6665TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

microchip-technology

VN2460N8-G

MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA

infineon-technologies

SPP11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

infineon-technologies

SPD07N60S5

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3