IRFB7730PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFB7730PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFB7730PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

6103 Pcs Ny Original I Lager
12804068
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFB7730PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
407 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13660 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFB7730

Datablad och dokument

Datablad
IRF(B,S,SL)7730PbF
Datasheets
IRFB7730PBF
HTML-Datasheet
IRFB7730PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001556128

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFH8318TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRF6614

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

infineon-technologies

IPD20N03L

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPI80N04S303AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3