IRFB5615PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFB5615PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFB5615PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

2529 Pcs Ny Original I Lager

12803424

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFB5615PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

150 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

39mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1750 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

144W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220AB

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

IRFB5615

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

100

Andra namn

IRFB5615PBF-DG

448-IRFB5615PBF

SP001575534

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRF3709SPBF

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

IRF8113GPBF

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

IRF7467TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

infineon-technologies

IRF2807PBF

MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB