Tillverkare Produktnummer:
IRFB52N15DPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFB52N15DPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12740 Pcs Ny Original I Lager
12804339
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFB52N15DPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2770 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFB52
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001572332
INFINFIRFB52N15DPBF
*IRFB52N15DPBF
2156-IRFB52N15DPBFINF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF6215PBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
IPD25DP06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IPD06P004NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
