Tillverkare Produktnummer:
IRFB3307ZPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFB3307ZPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
1731 Pcs Ny Original I Lager
12805763
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
ra5T
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFB3307ZPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFB3307
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IRFB3307ZPBFINF
INFINFIRFB3307ZPBF
SP001564038
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPP02N60C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRLS3034-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRFR3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
