Tillverkare Produktnummer:
IRF9953TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF9953TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12806259
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF9953TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A
rds på (max) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Effekt - Max
2W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Grundläggande produktnummer
IRF995
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
*IRF9953TRPBF
IRF9953PBFTR
IRF9953PBFDKR
SP001555962
IRF9953TRPBFTR-DG
IRF9953TRPBF-DG
IRF9953PBFCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7902PBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
IRF9956
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
IRF9953TR
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
