Tillverkare Produktnummer:
IRF8910TRPBFXTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF8910TRPBFXTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventarier:
4000 Pcs Ny Original I Lager
13000564
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF8910TRPBFXTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-funktion
Standard
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
rds på (max) @ id, vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Effekt - Max
2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
PG-DSO-8-902
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
448-IRF8910TRPBFXTMA1CT
448-IRF8910TRPBFXTMA1DKR
448-IRF8910TRPBFXTMA1TR
SP005876294
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
IRF9956TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
DMT4015LDV-7
MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
