Tillverkare Produktnummer:
IRF7853TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7853TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
11350 Pcs Ny Original I Lager
12806591
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7853TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
IRF7853
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRF7853TRPBFDKR
SP001554438
IRF7853TRPBF-DG
IRF7853TRPBFCT
IRF7853TRPBFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL7833STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
SPN01N60C3
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
IRLR2905CPBF
MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
