IRF7831PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRF7831PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF7831PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventarier:

Förfrågan Online

13064153

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF7831PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Emballage

Tube

Status för delar

Discontinued at Digi-Key

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

21A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

60 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±12V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

6240 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SO

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

95

Andra namn

SP001551568

2156-IRF7831PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IPA045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP

infineon-technologies

IRFS7730TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

infineon-technologies

IPP50R190CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3

infineon-technologies

IRLI520NPBF

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP