Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IRF7807APBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7807APBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
Förfrågan Online
12852014
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7807APBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (max)
±12V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datasheets
IRF7807APBF
HTML-Datasheet
IRF7807APBF-DG
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
*IRF7807APBF
SP001566402
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
ZXMN3B04N8TA
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2078
DEL NUMMER
ZXMN3B04N8TA-DG
ENHETSPRIS
0.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STS10N3LH5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4575
DEL NUMMER
STS10N3LH5-DG
ENHETSPRIS
0.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPS70R900P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
IRLML5203GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
MCH5839-TL-H
MOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH