Tillverkare Produktnummer:
IRF7469
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7469-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12805575
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7469 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
*IRF7469
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RS6G120BGTB1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2094
DEL NUMMER
RS6G120BGTB1-DG
ENHETSPRIS
1.48
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RS6G100BGTB1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2423
DEL NUMMER
RS6G100BGTB1-DG
ENHETSPRIS
0.70
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFB7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
