Tillverkare Produktnummer:

IRF7464

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF7464-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventarier:

Förfrågan Online

12861440

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF7464 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

730mOhm @ 720mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

280 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SO

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

95

Andra namn

*IRF7464

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

panasonic

MTM231232LBF

MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B

infineon-technologies

IRLR8256PBF

MOSFET N-CH 25V 81A DPAK

onsemi

NTD6416AN-1G

MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

panasonic

SK8403160L

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO