Tillverkare Produktnummer:
IRF7338TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7338TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12803632
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7338TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A, 3A
rds på (max) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 9V
Effekt - Max
2W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Grundläggande produktnummer
IRF733
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRF7338TRPBF-DG
SP001555186
IRF7338TRPBFTR
IRF7338TRPBFDKR
IRF7338TRPBFCT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7331PBF
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
IRF7304TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
