Tillverkare Produktnummer:
IRF6725MTR1PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6725MTR1PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventarier:
12807102
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6725MTR1PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MX
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MX
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IRF6725MTR1PBFCT
IRF6725MTR1PBFTR
IRF6725MTR1PBFDKR
SP001530850
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN2R0-30YL,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
20769
DEL NUMMER
PSMN2R0-30YL,115-DG
ENHETSPRIS
0.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLR9343TRPBF
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
IRLR8503TRL
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRFR3505PBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
