IRF6678TR1PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF6678TR1PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6678TR1PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventarier:

12803913
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF6678TR1PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5640 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MX
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MX

Datablad och dokument

Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
IRF6678TR1PBFTR
IRF6678TR1PBFCT
SP001525486
IRF6678TR1PBFDKR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP200N15N3GHKSA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

infineon-technologies

IRF9335PBF

MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO

infineon-technologies

IRFS52N15DTRRP

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

infineon-technologies

IRF3707ZS

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK