Tillverkare Produktnummer:
IRF6645TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6645TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Inventarier:
21782 Pcs Ny Original I Lager
12803057
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6645TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ SJ
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric SJ
Grundläggande produktnummer
IRF6645
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,800
Andra namn
IRF6645TRPBFCT
SP001562050
IRF6645TRPBFDKR
IRF6645TRPBFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
IRF8010STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPP70N04S307AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
