IRF6645

Tillverkare Produktnummer:

IRF6645

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6645-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ

Inventarier:

Förfrågan Online

12803200

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF6645 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

5.7A (Ta), 25A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

35mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

890 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3W (Ta), 42W (Tc)

Drifttemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

DIRECTFET™ SJ

Paket / Fodral

DirectFET™ Isometric SJ

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

4,800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRF9Z24NSTRLPBF

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

IRF7807ATR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IPD85P04P4L06ATMA1

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

infineon-technologies

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6