IRF6643TRPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF6643TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6643TRPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

Inventarier:

10693 Pcs Ny Original I Lager
12804463
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF6643TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MZ
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Grundläggande produktnummer
IRF6643

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
4,800
Andra namn
IRF6643TRPBF-DG
SP001570070
IRF6643TRPBFDKR
IRF6643TRPBFCT
IRF6643TRPBFTR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP65R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3

infineon-technologies

IPI60R385CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3

infineon-technologies

IRF520NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

infineon-technologies

IRFS3207TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK