IRF6631TRPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRF6631TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6631TRPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 13A (Ta), 57A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

Inventarier:

Förfrågan Online

12806468

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF6631TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

13A (Ta), 57A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

7.8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1450 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Drifttemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

DIRECTFET™ SQ

Paket / Fodral

DirectFET™ Isometric SQ

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

IRF6631TRPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket

4,800

Andra namn

SP001528816

IRF6631TRPBFTR

IRF6631TRPBFDKR

IRF6631TRPBFCT

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

SPP21N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3

infineon-technologies

IRL3402PBF

MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

infineon-technologies

SPP21N10

MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3

infineon-technologies

IRL3714ZL

MOSFET N-CH 20V 36A TO262