Tillverkare Produktnummer:
IRF6618TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6618TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventarier:
3953 Pcs Ny Original I Lager
12803154
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6618TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 170A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5640 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MT
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MT
Grundläggande produktnummer
IRF6618
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,800
Andra namn
SP001529242
IRF6618TRPBFCT
IRF6618TRPBFDKR
IRF6618TRPBFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
IRF6218STRLPBF
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
