Tillverkare Produktnummer:
IRF60DM206ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF60DM206ATMA1-DG
Beskrivning:
FET N-CHANNEL
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Inventarier:
13268344
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF60DM206ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
DirectFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6530 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DirectFET™ Isometric ME
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric ME
Ytterligare information
Standard-paket
4,800
Andra namn
448-IRF60DM206ATMA1TR
448-IRF60DM206ATMA1DKR
448-IRF60DM206ATMA1CT
SP005573710
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTA1N100-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXTA1970-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXFH50N80XA
MOSFET N-CH 50A TO247