Tillverkare Produktnummer:
IRF5802TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF5802TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventarier:
8278 Pcs Ny Original I Lager
12804043
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF5802TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
88 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Micro6™(TSOP-6)
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
IRF5802
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF2907ZS-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPA90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
