Tillverkare Produktnummer:
IRF520NSTRRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF520NSTRRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
12804553
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF520NSTRRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF530STRRPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
468
DEL NUMMER
IRF530STRRPBF-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPZ60R017C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
IRF7321D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
IRF7832PBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
