IRF3711STRR
Tillverkare Produktnummer:

IRF3711STRR

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF3711STRR-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventarier:

Förfrågan Online
12805103
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF3711STRR Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2980 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
IRF3711(S,L)
Datasheets
IRF3711STRR
HTML-Datasheet
IRF3711STRR-DG

Ytterligare information

Standard-paket
800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP076N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRFR9024NPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

infineon-technologies

IRF6706S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR4105TRL

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK