Tillverkare Produktnummer:
IRF3000
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF3000-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 1.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12805894
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF3000 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 960mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
*IRF3000
Q1439458
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
IRFS33N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
SPD11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3