Tillverkare Produktnummer:
IRF2804PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF2804PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
5955 Pcs Ny Original I Lager
12803391
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF2804PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF2804
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
94-0094PBF-DG
94-0094PBF
SP001571174
*IRF2804PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
IPD60R460CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3