IRF150P221AKMA1
Tillverkare Produktnummer:

IRF150P221AKMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF150P221AKMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventarier:

525 Pcs Ny Original I Lager
12949169
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF150P221AKMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
186A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad
IRF150P221
Datasheets
IRF150P221AKMA1
HTML-Datasheet
IRF150P221AKMA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
25
Andra namn
SP005537806
448-IRF150P221AKMA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
micro-commercial-components

MCU45P03A-TP

P-CHANNEL MOSFET, DPAK

micro-commercial-components

MCAC68N03Y-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

micro-commercial-components

MCU12P10A-TP

P-CHANNEL MOSFET, DPAK

micro-commercial-components

MCAC130N04-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060