IRF1503LPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF1503LPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF1503LPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online
13064076
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF1503LPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Emballage
Tube
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5730 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRF1503

Datablad och dokument

Datasheets
IRF1503LPBF
HTML-Datasheet
IRF1503LPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRF1503LPBF

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPB80N06S2H5ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPA65R110CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

infineon-technologies

IRF1404ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK

infineon-technologies

IRF3415SPBF

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK