IPZA65R029CFD7XKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPZA65R029CFD7XKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPZA65R029CFD7XKSA1-DG

Beskrivning:

650V FET COOLMOS TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3

Inventarier:

240 Pcs Ny Original I Lager
12945772
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPZA65R029CFD7XKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
29mOhm @ 35.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.79mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7149 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
305W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-4-3
Paket / Fodral
TO-247-4
Grundläggande produktnummer
IPZA65

Datablad och dokument

Datablad
IPZA65R029CFD7
Datasheets
IPZA65R029CFD7XKSA1
HTML-Datasheet
IPZA65R029CFD7XKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
SP005413356
448-IPZA65R029CFD7XKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

NVMFS5C410NWFT1G-M

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

stmicroelectronics

STB40NS15T4

MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK

stmicroelectronics

STP9NM40N

MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220

stmicroelectronics

STD1NK60T4

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK