Tillverkare Produktnummer:
IPZ60R099C7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPZ60R099C7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventarier:
12805343
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPZ60R099C7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1819 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Grundläggande produktnummer
IPZ60R099
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
240
Andra namn
2156-IPZ60R099C7XKSA1
INFINFIPZ60R099C7XKSA1
SP001298006
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
