Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPW65R190E6FKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPW65R190E6FKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventarier:
Förfrågan Online
12805806
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPW65R190E6FKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-1
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW65R
Datablad och dokument
Datablad
IPx65R190E6
Datasheets
IPW65R190E6FKSA1
HTML-Datasheet
IPW65R190E6FKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
240
Andra namn
IPW65R190E6-DG
2156-IPW65R190E6FKSA1-IT
IPW65R190E6
INFINFIPW65R190E6FKSA1
SP000863906
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW28N60DM2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW28N60DM2-DG
ENHETSPRIS
1.76
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FCH190N65F-F155
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
415
DEL NUMMER
FCH190N65F-F155-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW30N80K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW30N80K5-DG
ENHETSPRIS
4.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK20N60W,S1VF
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
15
DEL NUMMER
TK20N60W,S1VF-DG
ENHETSPRIS
2.83
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
562
DEL NUMMER
STW24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK