Tillverkare Produktnummer:
IPW65R150CFDFKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPW65R150CFDFKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventarier:
214 Pcs Ny Original I Lager
12805288
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPW65R150CFDFKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
195.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-41
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW65R150
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
240
Andra namn
SP001987372
IPW65R150CFDFKSA2-DG
448-IPW65R150CFDFKSA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPW65R150CFDFKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
154
DEL NUMMER
IPW65R150CFDFKSA1-DG
ENHETSPRIS
3.14
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IXFH50N60P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
386
DEL NUMMER
IXFH50N60P3-DG
ENHETSPRIS
5.53
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFP22N50APBFXKMA1
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
IRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO262