IPW65R029CFD7XKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPW65R029CFD7XKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPW65R029CFD7XKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventarier:

205 Pcs Ny Original I Lager
12947826
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPW65R029CFD7XKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
29mOhm @ 35.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.79mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7149 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
305W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW65R029

Datablad och dokument

Datablad
IPW65R029CFD7 Datasheet
Datasheets
IPW65R029CFD7XKSA1
HTML-Datasheet
IPW65R029CFD7XKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
SP005413355
448-IPW65R029CFD7XKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
comchip-technology

ACMSN2312T-HF

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

siliconix

ND2012L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF7205TRPBF

IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220