Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPW60R190E6FKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPW60R190E6FKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventarier:
190 Pcs Ny Original I Lager
12817340
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPW60R190E6FKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-1
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW60R190
Datablad och dokument
Datablad
IPx60R190E6
Datasheets
IPW60R190E6FKSA1
HTML-Datasheet
IPW60R190E6FKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
IPW60R190E6
SP000797384
IPW60R190E6-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCH190N65F-F155
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
415
DEL NUMMER
FCH190N65F-F155-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW30N80K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW30N80K5-DG
ENHETSPRIS
4.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW27N60M2-EP
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW27N60M2-EP-DG
ENHETSPRIS
1.60
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW18N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
476
DEL NUMMER
STW18N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
562
DEL NUMMER
STW24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH5006TRPBF
MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
CSD18503Q5A
MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
CSD16407Q5C
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
IRL3502SPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK