Tillverkare Produktnummer:
IPW60R070CFD7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventarier:
1513 Pcs Ny Original I Lager
13064163
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPW60R070CFD7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
70mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 760µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2721 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-21
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW60R070
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
SP001617990
IPW60R070CFD7
448-IPW60R070CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1-ND
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
