Tillverkare Produktnummer:
IPU95R3K7P7AKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPU95R3K7P7AKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
527 Pcs Ny Original I Lager
12803175
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPU95R3K7P7AKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
950 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
196 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
22W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPU95R3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
2156-IPU95R3K7P7AKMA1
SP001792320
IFEINFIPU95R3K7P7AKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF3315LPBF
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
BTS244ZNKSA1
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3
IRFZ44NL
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
