Tillverkare Produktnummer:
IPU50R950CEAKMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPU50R950CEAKMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
12805703
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPU50R950CEAKMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
13V
rds på (max) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
53W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPU50R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
2156-IPU50R950CEAKMA2
ROCINFIPU50R950CEAKMA2
SP001396806
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD7NM80
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4929
DEL NUMMER
STD7NM80-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF7322D1TR
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IPP90N06S4L04AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
