Tillverkare Produktnummer:
IPT60R145CFD7XTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPT60R145CFD7XTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 116W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventarier:
4000 Pcs Ny Original I Lager
12945194
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPT60R145CFD7XTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
145mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1199 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
116W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN
Grundläggande produktnummer
IPT60R145
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
448-IPT60R145CFD7XTMA1CT
SP001962924
448-IPT60R145CFD7XTMA1DKR
448-IPT60R145CFD7XTMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPT60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
IST007N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
IPLK60R600PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
