Tillverkare Produktnummer:
IPT60R105CFD7XTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPT60R105CFD7XTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventarier:
1780 Pcs Ny Original I Lager
12977953
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPT60R105CFD7XTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
105mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 390µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1503 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN
Grundläggande produktnummer
IPT60R105
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
448-IPT60R105CFD7XTMA1TR
448-IPT60R105CFD7XTMA1CT
448-IPT60R105CFD7XTMA1DKR
SP005346347
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
IRFR014PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
SSM6K516NU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
